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檢測(cè)技術(shù)

超聲波局部放電檢測(cè)儀

來源:djkluv.com    更新時(shí)間:2020-08-21

超聲波局部放電檢測(cè)儀

產(chǎn)品概述    
電氣設(shè)備檢修技術(shù)的發(fā)展大致可以分為三個(gè)階段,即故障檢修、定期檢修和狀態(tài)檢修,狀態(tài)檢修以可靠性為主,它是根據(jù)設(shè)備的狀態(tài)而執(zhí)行的預(yù)防性作業(yè)。作為電力系統(tǒng)運(yùn)行的首要要求,供電可靠性日益凸顯其重要性,因此狀態(tài)檢修逐步取代了以往的定期預(yù)防性檢修。狀態(tài)檢修通過對(duì)設(shè)備關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量來識(shí)別其已有的或潛在的劣化跡象,可在設(shè)備不停運(yùn)的情況下對(duì)其進(jìn)行狀態(tài)評(píng)估。
超聲波局部放電檢測(cè)儀
局部放電巡檢儀針對(duì)帶電巡檢的特點(diǎn),采用高頻電流及超聲波兩種檢測(cè)法,其體積小,性能優(yōu)異,易于操作??蓪?duì)電纜、變壓器(電抗器)等接地線進(jìn)行測(cè)量。本系統(tǒng)采用現(xiàn)代電子和計(jì)算機(jī)綜合技術(shù),實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大(模擬、電子、數(shù)字)、濾波、數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)處理、圖形顯示、試驗(yàn)報(bào)告自動(dòng)生成,從而完成局部放電的測(cè)量、分析。

超聲波局部放電檢測(cè)儀引用標(biāo)準(zhǔn)
1.局部放電測(cè)量GB/T 7354
2.電力設(shè)備局部放電現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量導(dǎo)則 DL/T 417
3.高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第一部分:一般試驗(yàn)要求 GB/T 16927.1
4.高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第二部分:測(cè)量系統(tǒng) GB/T 16927.2
5.高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第3部分: 現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)的定義及要求 GB/T 16927.3

超聲波局部放電檢測(cè)儀系統(tǒng)組成
本系統(tǒng)主要由以下幾部分組成
1.MOEORW-5009局部放電巡檢儀一臺(tái)。
2.主機(jī)充電器一套
3.HFCT-II高頻電流互感器1個(gè)。
4.HCCS-II超聲傳感器1個(gè)
5.BNC-SMA 50Ω同軸電纜2條。
6.HCTX-03無線同步發(fā)射器及電源線一套。
7.讀卡器1個(gè)。

超聲波局部放電檢測(cè)儀技術(shù)參數(shù)

主機(jī)參數(shù)

 

可檢測(cè)通道數(shù)

2個(gè)通道,1個(gè)MOEORW-5009通道,1個(gè)US通道

采樣精度

12bit

觸發(fā)方式

內(nèi)同步,外同步

HFCT參數(shù)

 

檢測(cè)帶寬

100K-50MHz

傳輸阻抗

>5mV/mA(10MHz )

輸出阻抗

50Ω

檢測(cè)靈敏度

5pC

測(cè)量范圍

-20~80dB

測(cè)量誤差

±1dB

分辨率

1dB

輸出接口

標(biāo)準(zhǔn)BNC

US參數(shù)

頻率范圍

20kHz-300kHz

輸出阻抗

50Ω

檢測(cè)靈敏度

0.1mV

測(cè)量范圍

0.1mV~1V

輸出接口

標(biāo)準(zhǔn)BNC

硬件

顯示屏

4.3” TFT真彩色液晶顯示屏

分辨率

480×272

操作

薄膜按鍵

存儲(chǔ)

SD卡標(biāo)配16G卡,zui大支持32G

接口

3.5mm立體聲耳機(jī)插孔

 

DC-005低壓直流充電器輸入口

 

充電LED指示燈

 

RS232調(diào)試口

 

USBD同步口

 

USB2.0

 

網(wǎng)口

 

SD卡插槽

 

CH1:SMA外部MOEORW-5009互感器輸入口

 

US:SMA外部MOEORW-5009互感器輸入口

電源

 

內(nèi)部電源

電池供電(16.8V鋰電池)

正常工作時(shí)間

約7小時(shí),充滿時(shí)間約5小時(shí)

尺寸

長(zhǎng)×寬×高

235mm×133mm×48mm

重量

0.85kg

環(huán)境

 

使用環(huán)境溫度

-20℃至50℃

存儲(chǔ)環(huán)境溫度

-40℃~70℃

濕度

10%-90%(非冷凝)

海拔高度

≤3000m


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